一线晶圆厂竞逐FinFET混搭制程缩短开发时程
作者:米乐m6平台登录 发布时间:2022-04-07 00:01
本文摘要:一线晶圆厂于是以争相以混搭20奈米制程的方式,加快14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。还包括IBM许可技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),均预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极融合20奈米后段金属导线制程的方式达成协议中举量产目标;而台积电为提前至2015年迈入16奈米FinFET世代,再版方案均可望使用类似于的混搭技术,至为此设计方式已沦为晶圆厂转入FinFET世代的共通策略。

米乐m6官网

一线晶圆厂于是以争相以混搭20奈米制程的方式,加快14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。还包括IBM许可技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),均预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极融合20奈米后段金属导线制程的方式达成协议中举量产目标;而台积电为提前至2015年迈入16奈米FinFET世代,再版方案均可望使用类似于的混搭技术,至为此设计方式已沦为晶圆厂转入FinFET世代的共通策略。

  联华电子市场行销处长黄克勤提及,各家厂商在16/14奈米FinFET的技术发展齐头并进,未来势将引起更加白热化的市场竞争。  联华电子市场行销处长黄克勤回应,FinFET制程可有效地管控电晶体闸极溢电流问题,并提升电子移动率,因而能大幅度提高晶片运算效能同时降低功耗,现沦为全球晶圆厂新的角力战场。为抢占市场先机,各家厂商也陆续祭典出有新的奈米制程混搭方案,期利用20奈米晶圆后段金属导线(BEOL)制程技术,减缓14或16奈米FinFET方案的量产脚步。

  黄克勤更进一步分析,14或16奈米FinFET对晶圆代工厂而言系由根本性技术革新,无论是立体电晶体结构设计、材料掺入比例、温度和物理特性掌控的可玩性皆大幅度上升;特别是在在BEOL方面,要在短时间内将金属导线制程微缩至1x奈米的密度非常不更容易,因此各家晶圆厂欲计划在晶圆前段闸极制程(FOEL)再行一步引入FinFET,并延用20奈米BEOL方案,以延长研发时程和减低投资开销。


本文关键词:米乐m6官网,一线,晶圆厂,竞逐,FinFET,混搭,制程,缩短,开发

本文来源:米乐m6平台登录-www.fsyimage.com

电话
0532-24523322